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  Interferometric in-situ III/V semiconductor dry-etch depth-control with ±0.8 nm best accuracy using a quadruple-Vernier-scale measurement 使用四游标刻度测量的干涉式原位III/V半导体干法蚀刻深度控制，最佳精度为±0.8 nm
相关领域
材料科学
游标尺
半导体
蚀刻（微加工）
干法蚀刻
光电子学
原位
薄脆饼
反应离子刻蚀
图层（电子）
光学
纳米技术
化学
物理
有机化学
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期刊：Journal of Vacuum Science & Technology B, Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena 作者：Guilherme Sombrio; Emerson Oliveira; Johannes Strassner; Christoph Doering; Henning Fouckhardt 出版日期：2021-08-06 |
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