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MIT characteristic of VO2 thin film deposited by ALD using vanadium oxytriisopropoxide precursor and H2O reactant 氧化三异丙醇钒前驱体和H2O反应物ALD沉积VO2薄膜的MIT特性
相关领域
钒
材料科学
二氧化二钒
化学工程
薄膜
冶金
无机化学
纳米技术
化学
工程类
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期刊:Journal of Ceramic Processing Research 作者:Changhee Shin; Hyeongsu Choi; Hyunwoo Park; Chanwon Jung; Seokhwi Song; et al 出版日期:2019-10-01 |
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