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[高分]
 Crystal structure analysis of stacking faults through scanning transmission electron microscopy of β-Ga2O3 (001) layer grown via halide vapor phase epitaxy 相关领域
材料科学
结晶学
外延
透射电子显微镜
空位缺陷
堆积
镓
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扫描电子显微镜
扫描透射电子显微镜
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期刊：Journal of Vacuum Science & Technology A 作者：Kenichi Ogawa; Kenji Kobayashi; Noriyuki Hasuike; Toshiyuki Isshiki 出版日期：2022-04-12 |
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