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 Non-destructive imaging of residual strains in GaN and their effect on optical and electrical properties using correlative light–electron microscopy GaN中残余应变的无损成像及其对光学和电学性能的影响
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期刊：Journal of Applied Physics 作者：G. Naresh‐Kumar; P. R. Edwards; Tim Batten; M. Nouf-Allehiani; Arantxa Vilalta‐Clemente; et al 出版日期：2022-02-16 |
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