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Effects of Surface Oxygen Vacancies and Hydroxy Groups on Electrical Characteristics in Solution-Gated One-Piece Indium–Tin-Oxide-Based Field-Effect Transistors 表面氧空位和羟基对溶液栅氧化铟锡基场效应晶体管电学特性的影响
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期刊:Langmuir 作者:A. Nishimura; Ritsu Katayama; Toshiya Sakata 出版日期:2024-12-26 |
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