Silicon carbide power MOSFETs: Breakthrough performance from 900 V up to 15 kV

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标题	Silicon carbide power MOSFETs: Breakthrough performance from 900 V up to 15 kV 相关领域碳化硅材料科学电气工程电压光电子学 MOSFET 击穿电压高压
网址	https://doi.org/10.1109/ISPSD.2014.6855980
DOI	10.1109/ISPSD.2014.6855980 doi
其它	期刊：2014 IEEE 26th International Symposium on Power Semiconductor Devices & IC's (ISPSD) 作者：J. W. Palmour; L. Cheng; V. Pala; E. V. Brunt; D. J. Lichtenwalner; et al 出版日期：2014
求助人	妞妞在 2022-07-26 14:15:52 发布自湖南，悬赏 10 积分
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