Investigation on origin of Ru-induced deep-level defects in 4H-SiC epilayer based Schottky diodes by DLTS and theoretical calculations

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标题	Investigation on origin of Ru-induced deep-level defects in 4H-SiC epilayer based Schottky diodes by DLTS and theoretical calculations 相关领域材料科学肖特基二极管深能级瞬态光谱光电子学二极管肖特基势垒
网址	https://doi.org/10.1117/12.2530177
DOI	10.1117/12.2530177 doi
其它	期刊：Hard X-Ray, Gamma-Ray, and Neutron Detector Physics XXI 作者：Joshua W. Kleppinger; Yuriy Pershin; Zsolt Rak; Krishna C. Mandal; Arnold Burger; et al 出版日期：2019
求助人	229_ 在 2021-11-04 10:39:55 发布，悬赏 10 积分
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