| 标题 |
 Operando characterization of conductive filaments during resistive switching in Mott VO2 相关领域
神经形态工程学
导电体
材料科学
电阻随机存取存储器
非易失性存储器
蛋白质丝
光电子学
纳米技术
记忆电阻器
莫特绝缘子
热传导
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| 其它 |
期刊：Proceedings of the National Academy of Sciences 作者：Shaobo Cheng; Min-Han Lee; Xing Li; Lorenzo Fratino; Federico Tesler; et al 出版日期：2021 |
| 求助人 |
研友_ng9wz8 在
2021-05-10 11:14:57 发布，悬赏 10 积分
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