The influence of lightly-doped p-GaN cap layer on p-GaN/AlGaN/GaN HEMT

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标题	The influence of lightly-doped p-GaN cap layer on p-GaN/AlGaN/GaN HEMT 相关领域高电子迁移率晶体管材料科学兴奋剂光电子学击穿电压阻挡层电场氮化镓阈值电压撞击电离宽禁带半导体图层（电子）电压电离晶体管电气工程化学离子纳米技术物理有机化学量子力学工程类
网址	https://doi.org/10.1088/1361-6641/ac643f
DOI	10.1088/1361-6641/ac643f doi
其它	期刊：Semiconductor Science and Technology 作者：Kai Liu; Runhao Wang; Chong Wang; Xuefeng Zheng; Xiaohua Ma; et al 出版日期：2022-04-05
求助人	Brian 在 2022-10-24 14:52:24 发布自山东，悬赏 10 积分
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