| 标题 |
 Effects of passivation-layer thickness and current gain enhancement of InGaP/GaAs -doped single heterojunction bipolar transistors using an InGaP passivation layer 相关领域
钝化
材料科学
光电子学
双极结晶体管
共发射极
图层（电子）
异质结
兴奋剂
制作
异质结双极晶体管
晶体管
电压
纳米技术
电气工程
工程类
病理
医学
替代医学
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期刊：Semiconductor Science and Technology 作者：W S Lour; J L Hsieh 出版日期：1998-08-01 |
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