Interfacial dipole engineering for vanishing Schottky barrier height in transition metal dichalcogenide field-effect transistors

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标题	Interfacial dipole engineering for vanishing Schottky barrier height in transition metal dichalcogenide field-effect transistors
网址	http://dx.doi.org/10.1021/acsnano.4c01932
DOI	10.1021/acsnano.4c01932 doi
求助人	ljq 在 2026-06-24 14:41:05 发布自贵州，悬赏 10 积分
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Society for Industrial and Applied Mathematics (SIAM)

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