Degradation and its Fast Recovery in a-IGZO Thin-Film Transistors under Negative Gate Bias Stress

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标题	Degradation and its Fast Recovery in a-IGZO Thin-Film Transistors under Negative Gate Bias Stress 负栅偏压下a-IGZO薄膜晶体管的退化及其快速恢复相关领域材料科学算法压力（语言学）分析化学（期刊）计算机科学化学哲学语言学色谱法
网址	https://doi.org/10.1088/1674-1056/ac05aa
DOI	10.1088/1674-1056/ac05aa doi
其它	期刊：Chinese Physics B 作者：Jianing Guo; Dongli Zhang; Mingxiang Wang; Huaisheng Wang 出版日期：2021-05-27
求助人	嘿嘿在 2024-01-04 15:04:31 发布自陕西，悬赏 10 积分
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