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 Dummy Gate-Assisted n-MOSFET Layout for a Radiation-Tolerant Integrated Circuit 用于耐辐射集成电路的虚拟栅极辅助n-MOSFET布局
相关领域
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晶体管
泄漏（经济）
场效应晶体管
电气工程
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期刊：IEEE Transactions on Nuclear Science 作者：Min Su Lee; Hee Chul Lee 出版日期：2013-07-09 |
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