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 Growth of compositionally uniform InxGa1−xN layers with low relaxation degree on GaN by molecular beam epitaxy 分子束外延在GaN上生长成分均匀、低弛豫度InxGa1-xN层
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期刊：Journal of Physics D Applied Physics 作者：Jingxuan Kang; Mikel Gómez Ruiz; Duc Van Dinh; A. Campbell; P. John; et al 出版日期：2025-02-12 |
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