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 Performance Improvement and Current Collapse Suppression of Al2O3/AlGaN/GaN HEMTs Achieved by Fluorinated Graphene Passivation 氟代石墨烯钝化Al 2 O3/LGA/GaNECT性能改善和电流崩溃抑制
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期刊：IEEE Electron Device Letters 作者：Lingyan Shen; Dongliang Zhang; Xinhong Cheng; Li Zheng; Dawei Xu; et al 出版日期：2017-03-16 |
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