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Different Single-Event Burnout Behavior in p-GaN HEMTs Under Zero and Negative Gate Bias |
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期刊:IEEE Transactions on Nuclear Science 作者:Xiangjie Cao; Fengkai Liu; Zhongli Liu; Boshang Lu; Zefeng Wang; et al 出版日期:2026-01-01 |
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(2025-6-4)