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Expression of Concern: Phase Separation Induced Schottky Barrier Height Change in InAlAs/InP Heterostructure-based HEMT Devices [ECS J. Solid State Sci. Technol., 11, 075001 (2022)]
关注的表达:InAlAs/InP异质结构基HEMT器件中相分离引起的肖特基势垒高度变化[ECS J.Solid State Sci.Technol.,11,075001(2022)]
相关领域
材料科学
高电子迁移率晶体管
异质结
肖特基势垒
光电子学
肖特基二极管
固态
工程物理
电气工程
晶体管
工程类
电压
二极管
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其它 |
期刊:ECS journal of solid state science and technology 作者: 出版日期:2023-03-01 |
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