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Band Filling and Cross Quantum Capacitance in Ion-Gated Semiconducting Transition Metal Dichalcogenide Monolayers
离子门控半导体过渡金属二硫族化物单层的能带填充和交叉量子电容
相关领域
凝聚态物理
电容
单层
电子
半导体
量子电容
材料科学
离子键合
物理
离子
化学
纳米技术
光电子学
量子力学
电极
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其它 |
期刊:Nano letters 作者:Haijing Zhang; Christophe Berthod; H. Berger; Thierry Giamarchi; Alberto F. Morpurgo 出版日期:2019-10-31 |
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