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 Ultraviolet Photodetection Properties of ZnO/Si Heterojunction Diodes Fabricated by ALD Technique Without Using a Buffer Layer 相关领域
材料科学
光电子学
紫外线
响应度
异质结
光电二极管
原子层沉积
薄膜
薄脆饼
光致发光
二极管
图层（电子）
硅
光电探测器
纳米技术
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期刊：JSTS Journal of Semiconductor Technology and Science 作者：Purnima Hazra; Satyendra Kumar Singh; Satyabrata Jit 出版日期：2014-02-28 |
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