| 标题 |
 Ultraviolet Photodetection Properties of ZnO/Si Heterojunction Diodes Fabricated by ALD Technique Without Using a Buffer Layer 相关领域
材料科学
光电子学
紫外线
响应度
异质结
光电二极管
原子层沉积
薄膜
薄脆饼
光致发光
二极管
图层（电子）
硅
光电探测器
纳米技术
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊：JSTS Journal of Semiconductor Technology and Science 作者：Purnima Hazra; Satyendra Kumar Singh; Satyabrata Jit 出版日期：2014-02-28 |
| 求助人 | |
| 下载 | |
|
温馨提示：该文献已被科研通 学术中心 收录，前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。
|
PDF的下载单位、IP信息已删除
(2025-6-4)
null
无极微光
DW
乐空思
123
huang
秦艽
mmmm
舒适的如萱
baa
寂寞的小鱼
吃葡萄不吐葡萄皮
arniu2008
Youdge
GingerF
Elsevier大王
Firsterchao
aajhajkahna
xing_xing
七听
皖公网安备34019202002308
