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 Trap Depth Engineering of SrSi2O2N2:Ln2+,Ln3+ (Ln2+ = Yb, Eu; Ln3+ = Dy, Ho, Er) Persistent Luminescence Materials for Information Storage Applications SrSi2O2N2：Ln2+，Ln3+（Ln2+=Yb，Eu；Ln3+=Dy，Ho，Er）持续发光材料的陷阱深度工程
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期刊：ACS Applied Materials & Interfaces 作者：Yixi Zhuang; Ying Lv; Le Wang; Wenwei Chen; Tianliang Zhou; et al 出版日期：2017-12-26 |
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