High-temperature operation of gallium oxide memristors up to 600 K

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标题	High-temperature operation of gallium oxide memristors up to 600 K 氧化镓忆阻器高达600 K的高温工作相关领域记忆电阻器神经形态工程学材料科学光电子学电阻随机存取存储器欧姆接触无定形固体锡氧化铟锡电铸纳米技术脉冲激光沉积纳秒氧化物铟电气工程电压薄膜计算机科学化学物理激光器冶金有机化学图层（电子）机器学习人工神经网络工程类光学
网址	https://www.nature.com/articles/s41598-023-28075-4.pdf
DOI	10.1038/s41598-023-28075-4 doi
其它	期刊：Scientific Reports 作者：Kento Sato; Yusuke Hayashi; Naoki Masaoka; Tetsuya Tohei; Akira Sakai 出版日期：2023-01-30
求助人	Captain 在 2025-12-06 17:50:33 发布自福建，悬赏 10 积分
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