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Device Structural Engineering and Modelling of Emerging III-Nitride/β-Ga2O3 Nano-HEMT for High-Power and THz Electronics 相关领域
高电子迁移率晶体管
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期刊:Physica Scripta 作者:G. Purna Chandra Rao; Trupti Ranjan Lenka; Valeria Vadalà; Hieu Pham Trung Nguyen 出版日期:2024-10-21 |
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