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A Timing Yield Model for SRAM Cells at Sub/Near-Threshold Voltages Based on a Compact Drain Current Model 相关领域
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期刊:IEEE Transactions on Computer-Aided Design of Integrated Circuits and Systems 作者:Shan Shen; Peng Cao; Ming Ling; Longxing Shi 出版日期:2022-07-28 |
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