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 Characteristics of SiC MOSFET in a Wide Temperature Range SiC MOSFET在宽温度范围内的特性
相关领域
MOSFET
材料科学
肖特基二极管
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光电子学
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期刊：2021 IEEE Workshop on Wide Bandgap Power Devices and Applications in Asia (WiPDA Asia) 作者：Mengyu Zhu; Laili Wang; Huaqing Li; Chengzi Yang; Dingkun Ma; et al 出版日期：2021-08-25 |
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