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 Nearly Ideal Breakdown Voltage Observed in Lateral p-i-n Diodes Fabricated on a SiC High-Purity Semi-Insulating Substrate 在SiC高纯半绝缘衬底上制造的横向p-i-n二极管中观察到的接近理想的击穿电压
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期刊：IEEE Transactions on Electron Devices 作者：Mitsuaki Kaneko; Alexander Tsibizov; Tsunenobu Kimoto; Ulrike Großner 出版日期：2023-02-27 |
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