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Zinc oxide and indium-gallium-zinc-oxide bi-layer synaptic device with highly linear long-term potentiation and depression characteristics
具有高度线性长时程增强和抑制特性的氧化锌和铟镓氧化锌双层突触装置
相关领域
记忆电阻器
材料科学
光电子学
氧化物
图层(电子)
铟
长时程增强
电子工程
纳米技术
化学
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生物化学
工程类
受体
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其它 |
期刊:Scientific Reports 作者:Hyun-Woong Choi; Ki-Woo Song; Seonghyun Kim; Kim Khoa Nguyen; Sunil Babu Eadi; et al 出版日期:2022-01-24 |
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