| 标题 |
 Integration of Sub-melt Laser Annealing on Metal Gate CMOS Devices for Sub 50 nm Node DRAM 亚50 nm节点DRAM金属栅极CMOS器件的亚熔融激光退火集成
相关领域
德拉姆
材料科学
CMOS芯片
光电子学
晶体管
泄漏（经济）
激光器
退火（玻璃）
金属浇口
节点（物理）
MOSFET
电子工程
电气工程
栅氧化层
工程类
电压
光学
物理
宏观经济学
复合材料
经济
结构工程
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊：International Electron Devices Meeting 作者：G. H. Buh; Guk-Hyon Yon; Tai-su Park; Jin‐Wook Lee; Jihyun Kim; et al 出版日期：2006-01-01 |
| 求助人 | |
| 下载 | |
|
温馨提示：该文献已被科研通 学术中心 收录，前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。
|
科研助手6
cdercder
昏睡的蟠桃
ZhouYW
bc
pluto
冰魂
SYLH
就叫柠檬吧
调皮黑猫
失眠醉易
pcr163
iNk
kingwill
HEIKU
xiixix
accept
yuan
机灵柚子
平常的毛豆
皖公网安备34019202002308
