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 Suppression of positive bias instability by inserting polarized AlN interlayer at AlSiO/p-type GaN interface in metal–oxide–semiconductor field-effect transistor 在金属氧化物半导体场效应晶体管中AlSiO/p型GaN界面插入极化AlN夹层抑制正偏压不稳定性
相关领域
材料科学
宽禁带半导体
半导体
氧化物
不稳定性
场效应晶体管
光电子学
金属
晶体管
凝聚态物理
冶金
物理
电压
量子力学
机械
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| 其它 |
期刊：Applied Physics Letters 作者：Hiroko Iguchi; Tetsuo Narita; Kenji Ito; Shiro Iwasaki; Emi Kano; et al 出版日期：2024-07-08 |
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