Best-in-class LDMOS with ultra-shallow trench isolation and p-buried layer from 18V to 40V in 0.18μm BCD technology

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标题	Best-in-class LDMOS with ultra-shallow trench isolation and p-buried layer from 18V to 40V in 0.18μm BCD technology
网址	https://doi.org/10.23919/ISPSD.2017.7988962
DOI	10.23919/ISPSD.2017.7988962 doi
其它	期刊：2017 29th International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC's (ISPSD) 作者：Feng Jin; Donghua Liu; Junjun Xing; Xinjie Yang; Jiye Yang; et al 出版日期：2017
求助人	Sherry 在 2026-06-18 16:41:46 发布自北京，悬赏 10 积分
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