Defect Engineering in β-Ga2O3/4H-SiC Heterojunctions via Kr Ion Irradiation for Enhanced Solar-Blind Photodetector Performance

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标题	Defect Engineering in β-Ga2O3/4H-SiC Heterojunctions via Kr Ion Irradiation for Enhanced Solar-Blind Photodetector Performance
网址	https://doi.org/10.1021/acsami.5c01421
DOI	10.1021/acsami.5c01421 doi
其它	期刊：ACS Applied Materials & Interfaces 作者：Yang Yongtao; Yang Zhang; Xiaotong Ma; Yao Li; Fan Zhang; et al 出版日期：2025-03-19
求助人	迅速的时光在 2026-09-20 11:45:29 发布自湖北，悬赏 10 积分
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