标题 |
Erratum: “Lateral charge migration induced abnormal read disturb in 3D charge-trapping NAND flash memory” [Appl. Phys. Express 13, 054002 (2020)]
勘误表:“3D电荷捕获NAND闪存中横向电荷迁移引起的异常读取干扰”[Appl.Phys.Express 13,054002(2020)]
相关领域
俘获
与非门
电荷(物理)
闪光灯(摄影)
闪存
光电子学
材料科学
物理
计算机科学
光学
生物
量子力学
计算机硬件
逻辑门
算法
生态学
|
网址 | |
DOI | |
其它 |
期刊:Applied Physics Express 作者:Fei Wang; Rui Cao; Yachen Kong; Xiaolei Ma; Xuepeng Zhan; et al 出版日期:2020-05-29 |
求助人 | |
下载 | 该求助完结已超 24 小时,文件已从服务器自动删除,无法下载。 |
温馨提示:该文献已被科研通 学术中心 收录,前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库,收集文献的基本信息(如标题、摘要、期刊、作者、被引量等),不提供下载功能。如需下载文献全文,请通过文献求助获取。
|