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标题
A 4H-SiC NMOSFET-Based Temperature Sensor Operating Between 14K and 481 K
工作在14K和481K之间的基于4H-SiC NMOSFET的温度传感器
相关领域
材料科学 光电子学 碳化硅 宽禁带半导体 温度测量 电气工程 MOSFET 工程物理 电子工程 晶体管 电压 物理 复合材料 工程类 量子力学
网址
https://doi.org/10.1109/led.2024.3459049
AI链接 fraunhofer.dedoi.org
DOI
10.1109/led.2024.3459049 doi
其它 期刊：IEEE Electron Device Letters
作者：Nicola Rinaldi; Alexander May; Mathias Rommel; Rosalba Liguori; Alfredo Rubino; et al
出版日期：2024-09-12
求助人
哐哐哐 在 2025-12-05 12:23:14 发布自安徽，悬赏 10 积分
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