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A 28 nm 81 Kb 59–95.3 TOPS/W 4T2R ReRAM Computing-in-Memory Accelerator With Voltage-to-Time-to-Digital Based Output 相关领域
电阻随机存取存储器
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期刊:IEEE Journal on Emerging and Selected Topics in Circuits and Systems 作者:Keji Zhou; Xinru Jia; Chenyang Zhao; Xumeng Zhang; Guangjian Wu; et al 出版日期:2022-08-05 |
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