| 标题 |
  Conductive metal oxide and hafnium oxide bilayer resistive random-access memory: An ab initio study 相关领域
铪
从头算
氧化物
电阻随机存取存储器
从头算量子化学方法
材料科学
金属
双层
导电体
凝聚态物理
化学
冶金
电极
物理化学
复合材料
物理
分子
膜
有机化学
生物化学
锆
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期刊：Journal of Applied Physics 作者：Antoine Honet; Aida Todri‐Sanial 出版日期：2025-02-25 |
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