| 标题 |
  Conductive metal oxide and hafnium oxide bilayer resistive random-access memory: An ab initio study 相关领域
铪
从头算
氧化物
电阻随机存取存储器
从头算量子化学方法
材料科学
金属
双层
导电体
凝聚态物理
化学
冶金
电极
物理化学
复合材料
物理
分子
膜
生物化学
锆
有机化学
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊：Journal of Applied Physics 作者：Antoine Honet; Aida Todri‐Sanial 出版日期：2025-02-25 |
| 求助人 | |
| 下载 | 暂无链接，等待应助者上传 |
|
温馨提示：该文献已被科研通 学术中心 收录，前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。
|
PDF的下载单位、IP信息已删除
(2025-6-4)
Criminology34
yyds
MchemG
null
andrele
无极微光
叽了咕噜
YifanWang
笔记本
tuanheqi
荼黎
mmyhn
皮皮
精明浩然
Tourist
Hayat
什么时候能毕业
Yini
Alex
风清扬
asta
喜东东
乐空思
清飏
皖公网安备34019202002308
