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标题
Gain Cell Memory on Logic Platform – Device Guidelines for Oxide Semiconductor Transistor Materials Development
逻辑平台上的增益单元存储器。氧化物半导体晶体管材料开发的器件指南
相关领域
静态随机存取存储器 光电子学 计算机科学 物理 材料科学 电气工程 计算机硬件 工程类
网址
DOI
10.1109/iedm45741.2023.10413726 doi
其它 期刊:2022 International Electron Devices Meeting (IEDM)
作者:Shuhan Liu; Koustav Jana; Kasidit Toprasertpong; Jian Chen; Zheng Liang; et al
出版日期:2023-12-09
求助人
spark810 在 2024-12-28 06:03:03 发布自美国,悬赏 10 积分
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