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Ultra-low leakage edge contact MoS2 FETs enabling a ks-Retention 2T0C DRAM at Zero Vhold |
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期刊:2026 10th IEEE Electron Devices Technology & Manufacturing Conference (EDTM) 作者:Saifei Gou; Yuxuan Zhu; Zhejia Zhang; Jinshu Zhang; Xiangqi Dong; et al 出版日期:2026 |
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(2025-6-4)