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 Enhancement-mode GaN/AlGaN p-channel field effect transistors with ID > 110 mA/mm achieved through source/drain tunnel junction contacts 通过源/漏隧道结接触实现ID>110mA/mm的增强型GaN/AlGaN p沟道场效应晶体管
相关领域
材料科学
光电子学
场效应晶体管
宽禁带半导体
晶体管
隧道枢纽
凝聚态物理
电压
电气工程
量子隧道
物理
工程类
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| 其它 |
期刊：Applied Physics Letters 作者：Zhaofeng Wang; Zhihong Liu; Xiaojin Chen; Xing Chen; Hanghai Du; et al 出版日期：2025-04-01 |
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