| 标题 |
  Investigation on Stability of p-GaN HEMTs With an Indium–Tin–Oxide Gate Under Forward Gate Bias 正向偏压下铟锡氧化物p-GaN HEMTs的稳定性研究
相关领域
材料科学
光电子学
氧化铟锡
铟
宽禁带半导体
锡
栅氧化层
理论（学习稳定性）
逻辑门
电子工程
电气工程
计算机科学
晶体管
纳米技术
图层（电子）
工程类
电压
冶金
机器学习
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊：IEEE Journal of the Electron Devices Society 作者：Chih-Yao Chang; Yao-Luen Shen; Ching-Yao Wang; Shun‐Wei Tang; Tian‐Li Wu; et al 出版日期：2021-01-01 |
| 求助人 | |
| 下载 | 该求助完结已超 24 小时，文件已从服务器自动删除，无法下载。 |
|
温馨提示：该文献已被科研通 学术中心 收录，前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。
|
PDF的下载单位、IP信息已删除
(2025-6-4)
璐璐
v0id
林狗
极限001
aaaa
xing_xing
invisight
嘻嘻哈哈
我能私信骂你吗
学术文献互助
渡人舟
aajhajkahna
maxiaole
changping
pluto
初景
谢雷XIELei
CarryLJR
整齐的孤菱
苏丹的论文
皖公网安备34019202002308
