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  Investigation on Stability of p-GaN HEMTs With an Indium–Tin–Oxide Gate Under Forward Gate Bias 正向偏压下铟锡氧化物p-GaN HEMTs的稳定性研究
相关领域
材料科学
光电子学
氧化铟锡
铟
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理论（学习稳定性）
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期刊：IEEE Journal of the Electron Devices Society 作者：Chih-Yao Chang; Yao-Luen Shen; Ching-Yao Wang; Shun‐Wei Tang; Tian‐Li Wu; et al 出版日期：2021-01-01 |
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