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 Analysis on Contact Resistance and Effective Channel Length of Thin Film Transistors Using Composition-Modified In–Ga–Zn-O Active Channels Prepared with Atomic Layer Deposition and Various Electrode Materials 原子层沉积法制备成分修饰In-Ga-Zn-O有源沟道和不同电极材料薄膜晶体管的接触电阻和有效沟道长度分析
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期刊：ACS applied electronic materials 作者：Dong-Hee Lee; Young-Ha Kwon; Nak‐Jin Seong; Kyu-Jeong Choi; Gyungtae Kim; et al 出版日期：2022-12-09 |
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