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 Quantitative analysis of dislocations in 4H-SiC wafers using synchrotron X-ray topography with ultra-high angular resolution 超高角分辨率同步辐射X射线形貌术定量分析4H-碳化硅晶片中的位错
相关领域
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期刊：Journal of Applied Crystallography 作者：Hongyu Peng; Zeyu Chen; Yafei Liu; Balaji Raghothamachar; Xianrong Huang; et al 出版日期：2022-05-25 |
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