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  Role of the GaN-on-Si Epi-Stack on ΔR ON Caused by Back-Gating Stress GaN-on-Si外延叠层对背栅应力引起的Δ R的作用
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期刊：IEEE Transactions on Electron Devices 作者：M. Millesimo; M. Borga; L. Valentini; B. Bakeroot; N. Posthuma; et al 出版日期：2023-08-22 |
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