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 Phosphorus deactivation by hydrogen on hot carrier stressed high-voltage N-channel field effect transistor CMOS device demonstrated by scanning capacitance microscopy imaging 用扫描电容显微镜成像证明热载流子应力高压N沟道场效应晶体管CMOS器件上磷被氢失活
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期刊：Journal of Vacuum Science & Technology B Nanotechnology and Microelectronics Materials Processing Measurement and Phenomena 作者：Jochonia Nxumalo; Mike Smith; David Fillmore; Matthew Gerber 出版日期：2023-06-07 |
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