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![]() 用扫描电容显微镜成像证明热载流子应力高压N沟道场效应晶体管CMOS器件上磷被氢失活
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期刊:Journal of Vacuum Science & Technology B Nanotechnology and Microelectronics Materials Processing Measurement and Phenomena 作者:Jochonia Nxumalo; Mike Smith; David Fillmore; Matthew Gerber 出版日期:2023-06-07 |
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luna
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2025-08-28 16:18:43 发布,悬赏 10 积分
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