Charging and Discharging Characteristics of Stacked Floating Gates of Silicon Quantum Dots

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标题	[高分] Charging and Discharging Characteristics of Stacked Floating Gates of Silicon Quantum Dots 相关领域量子点材料科学量子隧道电容电容器光电子学电子硅栅极电压价带电压电气工程带隙电极化学物理晶体管工程类物理化学量子力学
网址	https://doi.org/10.1093/ietele/e88-c.4.709
DOI	10.1093/ietele/e88-c.4.709 doi
其它	期刊：IEICE Transactions on Electronics 作者：Taku Shibaguchi; Mitsuhisa Ikeda; Hideki Murakami; Seiichi Miyazaki 出版日期：2005-04-01
求助人	Chandow 在 2025-10-13 17:48:59 发布自福建，悬赏 100 积分
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