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 Comparison of parameter variation of InAs quantum dots embedded in GaAs/Al0.30Ga0.70As structures with different capping/buffer quantum wells at annealing 不同封盖/缓冲量子阱嵌入GaAs/Al0.30Ga 0.70 As结构中InAs量子点退火时参数变化的比较
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期刊：Journal of Materials Science Materials in Electronics 作者：R. Cisneros Tamayo; T.V. Torchynska; G. Polupan; A. Stintz 出版日期：2023-05-01 |
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