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 Degradation Behavior and Mechanisms of E-mode GaN HEMTs with p-GaN Gate under High Temperature Gate Bias Stress 相关领域
降级（电信）
材料科学
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期刊：2021 Global Reliability and Prognostics and Health Management (PHM-Nanjing) 作者：WenYang Chen; Y.Q. Chen; Kuiwei Geng 出版日期：2021-10-15 |
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