Nitrogen doping concentration dependence of nitrogen incorporation kinetics during physical vapor transport growth of 4H–SiC crystals

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标题	Nitrogen doping concentration dependence of nitrogen incorporation kinetics during physical vapor transport growth of 4H–SiC crystals 4H-SiC晶体物理气相输运过程中氮掺杂浓度对氮结合动力学的影响相关领域材料科学动力学氮气兴奋剂化学工程光电子学化学有机化学量子力学物理工程类
网址	https://doi.org/10.1016/j.mssp.2024.108266
DOI	10.1016/j.mssp.2024.108266 doi
其它	期刊：Materials Science in Semiconductor Processing 作者：Yuta Inoue; Wataru Tochizaki; Takehisa Iwai; Kazuyoshi Tanabe; Noboru Ohtani 出版日期：2024-06-01
求助人	黄C 在 2024-05-15 14:53:22 发布自四川，悬赏 10 积分
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