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Study on a novel vertical enhancement-mode Ga 2 O 3 MOSFET with FINFET structure
相关领域
材料科学 光电子学 MOSFET 栅氧化层 外延 电介质 氧化物 短通道效应 阈值电压 图层（电子） 晶体管 电压 电气工程 纳米技术 冶金 工程类
网址
https://doi.org/10.1088/1674-1056/ac21c4
DOI
10.1088/1674-1056/ac21c4 doi
其它 期刊：Chinese Physics B
作者：Liangliang Guo; Yuming Zhang; Suzhen Luan; Rundi Qiao; Renxu Jia
出版日期：2021-08-27
求助人
111 在 2026-01-26 16:30:07 发布自陕西，悬赏 10 积分
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