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 Study on a novel vertical enhancement-mode Ga 2 O 3 MOSFET with FINFET structure 相关领域
材料科学
光电子学
MOSFET
栅氧化层
外延
电介质
氧化物
短通道效应
阈值电压
图层（电子）
晶体管
电压
电气工程
纳米技术
冶金
工程类
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期刊：Chinese Physics B 作者：Liangliang Guo; Yuming Zhang; Suzhen Luan; Rundi Qiao; Renxu Jia 出版日期：2021-08-27 |
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