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Capacitance–voltage characterization of metal–insulator–semiconductor capacitors formed on wide-bandgap semiconductors with deep dopants such as diamond 在具有深掺杂剂如金刚石的宽带隙半导体上形成的金属-绝缘体-半导体电容器的电容-电压特性
相关领域
掺杂剂
钻石
材料科学
半导体
电容器
光电子学
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电容
兴奋剂
凝聚态物理
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电气工程
化学
复合材料
电极
物理
物理化学
工程类
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期刊:Journal of Applied Physics 作者:Atsushi Hiraiwa; S. Okubo; Masahiko Ogura; Yu Fu; Hiroshi Kawarada 出版日期:2022-09-26 |
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