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 Double Gate Double-Channel AlGaN/GaN MOS HEMT and its Applications to LNA with Sub-1 dB Noise Figure 双栅双沟道AlGaN/GaN MOS HEMT及其在噪声系数低于1 dB的LNA中的应用
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期刊：Silicon 作者：Mahdi Vadizadeh; Mohammad Fallahnejad; Maryam Shaveisi; Reyhaneh Ejlali; Farshad Bajelan 出版日期：2022-09-05 |
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