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标题
Doping effect numerical comparison of band gap energy and active region range for GaN and GaAs based semiconductor
GaN和GaAs基半导体带隙能量和有源区范围的掺杂效应数值比较
相关领域
兴奋剂 带隙 材料科学 氮化镓 砷化镓 光电子学 电子能带结构 半导体 波段图 宽禁带半导体 二极管 发光二极管 凝聚态物理 物理 纳米技术 图层（电子）
网址
https://iopscience.iop.org/article/10.1088/1742-6596/1892/1/...
AI链接 iop.org iop.org edu.mydoi.org
DOI
10.1088/1742-6596/1892/1/012031 doi
其它 期刊：Journal of Physics Conference Series
作者：Faris Azim Ahmad Fajri; Ahmad Fakhrurrazi Ahmad Noorden; Azlan Abdul Aziz
出版日期：2021-04-01
求助人
Dracule 在 2025-08-17 20:29:35 发布，悬赏 10 积分
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