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  Doping effect numerical comparison of band gap energy and active region range for GaN and GaAs based semiconductor GaN和GaAs基半导体带隙能量和有源区范围的掺杂效应数值比较
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期刊：Journal of Physics Conference Series 作者：Faris Azim Ahmad Fajri; Ahmad Fakhrurrazi Ahmad Noorden; Azlan Abdul Aziz 出版日期：2021-04-01 |
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